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非易失性NV-SRAM
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非易失性存儲器芯片（NV SRAM）非易失性存儲器芯片（NV SRAM）

NVSRAM可提供16kb至16Mb的存儲容量，存取時間高達70ns。讀、寫接口均與SRAM保持一致
標準Vcc條件下NVSRAM與同等速度SRAM的操作完全相同
無需擔心存儲數(shù)據(jù)分區(qū)問題，數(shù)據(jù)存儲位置與標準SRAM相同。
vtiVilsion  Technology Inc.是一家為汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)設計，開發(fā)和銷售高性能集成電路的領導者。以下是非易失性隨機存取存儲器（NV-RAM），容量為128Kb~16Mb，讀取速度為40MHz,104MHz 25ns, 35ns以及45ns。無限讀寫，具有高可靠性，提供44TSOP,48BGA，8-DFN，16-SOIC封裝，工作電壓為3.3V。我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品。
型號 容量 位寬 溫度 電壓(V) 速度 封裝 包裝 狀態(tài) PDF
VTI8P016N08M 16Mbit 2M x 8 C,I 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P016N16M 16Mbit 1M x 16 C,I 3.3 35ns 54TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P004N08M 4Mbit 512K x 8 C,I,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P004N16M 4Mbit 256K x 16 C,I，E,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8S004N00M 4Mbit 512K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P001N16V 1Mbit 64Kx16bit C,I 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray MP 聯(lián)系我們
VTI8P001N08M 1Mbit 128K x 8 C,I,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P001N16M 1Mbit 64K x 16 C,I，E,A 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8S001N00M 1Mbit 128K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8Q001N00M 1Mbit 128K x 8 C,I 3.3 40MHz/104MHz 16-SOIC Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8P256N08M 256Kbit 32K x 8 C,I 3.3 35ns 44TSOP,48BGA Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8S256N00M 256Kbit 32K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
VTI8S128N00M 128Kbit 16K x 8 I,A 3.3 40MHz 8-DFN Tray,T&R MP 聯(lián)系我們
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