ISSI公司是為汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)以及工業(yè)和醫(yī)療等主要市場設(shè)計(jì)和開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)，主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)高增長市場。是內(nèi)存產(chǎn)品的長期供應(yīng)商，包括低密度和小批量產(chǎn)品，即使在制造能力緊張的時(shí)期也是如此。
 
ISSI產(chǎn)品型號IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，是一款容量為512Kbit的高速靜態(tài)SRAM存儲芯片，位寬32Kx16。這種高度可靠的工藝結(jié)合創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，產(chǎn)生了高性能和低功耗的器件。
 
當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，功耗可以通過CMOS輸入電平降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以輕松擴(kuò)展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB)訪問。IS61WV3216DBLL-10TLI-TR采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44-pinTSOP TypeII封裝
 
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR特征
高速：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速訪問時(shí)間：8、10、12、20ns
•低有功功率：135mW（典型值）
•低待機(jī)功耗：12µW（典型值）
CMOS待機(jī)
低功耗：IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
•高速訪問時(shí)間：25、35ns
•低有功功率：55mW（典型值）
•低待機(jī)功耗：12µW（典型值）
CMOS待機(jī)
•單電源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全靜態(tài)操作：無需時(shí)鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用

關(guān)鍵詞： ISSI代理,SRAM,IS61WV6416EEBLL