為了降低DSP外部SDRAM存儲系統(tǒng)的功耗,針對DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動態(tài)監(jiān)測的讀寫歸并方案。該方案動態(tài)監(jiān)測外部存儲器接口(EMIF')總線的利用率,根據(jù)總線利用率的不同選擇開放的頁策略,封閉的頁策略或休眠模式。
 
DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘,特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合,需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持。因此需要外接存儲器來擴(kuò)展DSP的存儲空間。
 
在基于DSP的嵌入式應(yīng)用中,存儲器系統(tǒng)逐漸成為功耗的主要來源。優(yōu)化存儲系統(tǒng)的功耗是嵌入式DSP極其重要的設(shè)計目標(biāo)。本文主要以訪問外部SDRAM為例來說明降低外部存儲系統(tǒng)功耗的設(shè)計方法。
 
訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計方案
為更好的管理外部SDRAM，大部分嵌入式DSP片上集成和外部存儲器的接口EMIF，DSP的片內(nèi)設(shè)備通過EMIF訪問和管理存儲器。由EMIF將對同一行的讀寫盡量歸并到一起進(jìn)行,減少激活/關(guān)閉存儲體引起的附加功耗開銷。圖1為基于總線監(jiān)測的讀寫歸并設(shè)計方案的框圖。
     
1)采用塊讀的方法取指令。加入簡化的指令Cache，將對SDRAM的讀程序讀操作按塊進(jìn)行。只有在Cache錯過時，由Cache通過EMIF對SDRAM進(jìn)行塊讀,每次讀16個字節(jié)。
 
2)加入寫后數(shù)據(jù)緩沖區(qū)(WPB),將數(shù)據(jù)總線上的請求發(fā)往WPB,由WPB對SDRAM進(jìn)行塊寫、讀寫歸并。
 
3)動態(tài)監(jiān)測EMIF總線的利用率,塊讀和讀寫歸并時采用開放的頁策略,當(dāng)總線利用率較低時,采用封閉的頁策略，當(dāng)總線利用率很低時,將SDRAM進(jìn)入休眠模式。


關(guān)鍵詞：SDRAM