1.1接口差別
NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以直接和CPU相連,CPU可以直接通過地址總線對NOR Flash進行訪問，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。
 
NAND Flash器件使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址，對NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進行訪問。各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND Flash讀/寫操作采用512或2048字節(jié)的頁。
 
NOR Flash是并行訪問，Nand Flash是串行訪問，所以相對來說,前者的速度更快些。
 
1.2容量和成本
NOR Flash的成本相對高﹐容量相對小，常見的有128KB、256KB、1MB、2MB等;優(yōu)點是讀寫數(shù)據(jù)時,不容易出錯。所以在應用領域方面,NOR Flash比較適合應用于存儲少量的代碼。

NAND Flash的單元尺寸幾乎是NOR Flash器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單﹐也就相應是的數(shù)據(jù)。。容量比較大,由于價格便宜,更適合存儲大量的數(shù)據(jù)。
 
1.3可靠性和耐用性
采用內(nèi)存Flash介質時一個需要重點考慮的問越定話性。對于需要擴展MTBF的系統(tǒng)來說,Flash定非常合垃的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和環(huán)塊處理六個方面來比較NOR Flash和NANDFIasnu的太擦寫次命(耐用性)在NAND Flash閃行中母不次粘錄十萬次。數(shù)是一百萬次，而NOkFlash.t的你國優(yōu)勢,典型的NAND Flash除了具有1o:1的塊擦除周期優(yōu)努·典型)NAND Flash塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND Flash塊在給定的時問內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
 
1.4位反轉
NAND Flash和NOR Flash都可能發(fā)生比特位反轉(但NAND Flash反轉的幾率遠大丁NURrIasn會有壞塊兩者都必須進行ECC操作;NAND Flash云有可能(出廠時廠家會對壞塊做標記),在使用過程中也還有j能會出現(xiàn)新的壞塊,因此NAND Flash驅動必須對壞塊進行管理。
 
位反轉對于用NAND Flash存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然如果用本地存儲設備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。壞塊處理NAND Flash器件中的壞塊是隨機分布的。NAND Flash器件需要對介質進行初始化掃描來發(fā)現(xiàn)壞塊﹐并將壞塊標記為不可用。
 
1.5易于使用
NAND Flash不能在片內(nèi)運行程序,而NOR Flash可以。但目前很多CPU都可以在上電時以硬件的方式先將NAND Flash的第一個Block中的內(nèi)容(一般是程序代碼﹐也許不足一個Block,如2KB大小)自動拷貝到RAM中然后再運行。因此只要CPU支持,NAND Flash也可以當成啟動設備。由于需要I/O接口,NAND Flash要復雜得多。各種NAND Flash器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND Flash器件時,必須先寫入驅動程序﹐才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。
 
 
關鍵詞：SPI Nor Flash