9個(gè)月建設(shè)工廠，7個(gè)月機(jī)臺(tái)搬入，建設(shè)節(jié)點(diǎn)不斷提前完成。按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)負(fù)責(zé)人透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品是去年成功研發(fā)的中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆歷時(shí)2年、耗資10億美元、由1000人團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的芯片，獲得了中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2018）金獎(jiǎng)。這是我國(guó)在制造工藝上最接近國(guó)際高端水平的主流芯片，將有望使中國(guó)擠進(jìn)全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)，強(qiáng)力提升“中國(guó)芯”的國(guó)際市場(chǎng)地位。

 

目前，全球存儲(chǔ)器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國(guó)企業(yè)手中，屬于相對(duì)壟斷市場(chǎng)。　　根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2017年全球閃存芯片銷量超過(guò)500億美元，同比增加45%，預(yù)計(jì)2020年銷量超過(guò)1000億美元。中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口超過(guò)半數(shù)，國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片基本上是空白。隨著全球市場(chǎng)需求量的不斷增加，近3年來(lái)，全球存儲(chǔ)芯片的價(jià)格不斷上漲。

 

紫光集團(tuán)表示，“前五年追趕技術(shù)，后五年增加產(chǎn)量”。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發(fā)，也將投入量產(chǎn)，但產(chǎn)量和成本還不足以影響市場(chǎng)。“后發(fā)優(yōu)勢(shì)是不會(huì)走太多冤枉路，速度更快一點(diǎn)，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時(shí)間”，高啟全說(shuō)，64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進(jìn)行，力爭(zhēng)2019年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn)，這樣，就能把與全球領(lǐng)先大廠的差距縮短在2年以內(nèi)，“希望用5年左右接近世界先進(jìn)水平”。



關(guān)鍵詞：NAND閃存

上一篇：美光致力于制造3D NAND閃存