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存儲器世代即將來到DDR5 (第五代雙倍數(shù)據(jù)率)的時代

來源：日期：2017-11-29 15:38:38

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存儲器頻寬與密度都比目前DDR4更高2倍的DDR5存儲器介面芯片研發(fā)成功，預(yù)計最快在2019年量產(chǎn)，將為服務(wù)器的主存儲器帶來更高效能與功率管理…

　
Rambus最近宣布在其實驗室中開發(fā)出DDR5的可用芯片——DDR5是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)雙列直插式存儲器模組(DIMM)的下一代重要介面。預(yù)計從2019年開始，暫存時脈驅(qū)動器與數(shù)據(jù)緩沖器可望有助于為服務(wù)器倍增主存儲器的傳輸速率，同時也引發(fā)了對于未來運算的爭論。

　　
美國聯(lián)合電子裝置工程委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)組織計劃在2018年6月之前宣布以DDR5規(guī)格作為下一代服務(wù)器的預(yù)設(shè)存儲器介面。但是，有些分析師指出，DDR5出現(xiàn)的時機，將會在持久型存儲器(即儲存級存儲器)、新式電腦架構(gòu)與芯片堆疊等均陸續(xù)更新替代方案之際。

　　
Rambus產(chǎn)品行銷副總裁Hemant Dhulla表示：“這是目前為止第一個在實驗室中開發(fā)出實際可行的DDR5 DIMM芯片組，預(yù)計會在2019年量產(chǎn)。我們希望可以先使其上市，并幫助我們的合作伙伴推出該技術(shù)。”

　　
DDR5預(yù)計可支持高達6.4Gbits/s的數(shù)據(jù)率，傳輸頻寬最高達51.2 GBytes/s，分別較目前的DDR4支持的3.2Gbits數(shù)據(jù)率與25.6GBytes/s傳輸頻寬提高一倍。升級后的新版本將使64位元鏈路的運作壓從1.2V降低至1.1V，并使突發(fā)周期(BL)從8位元進展至16位元。除此此外，DDR5可還讓電壓穩(wěn)壓器安裝于該記憶卡，而不必再加進主板中。

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