存儲(chǔ)器大致可分為兩類：非易失性和易失性。非易失性存儲(chǔ)器可以通過(guò)數(shù)百萬(wàn)次電源循環(huán)來(lái)存儲(chǔ)其內(nèi)容。內(nèi)存中的內(nèi)容會(huì)一直保留，直到它們被有意擦除或覆蓋。非易失性存儲(chǔ)器的兩個(gè)示例是閃存和HDD。相比之下，易失性存儲(chǔ)器在電源循環(huán)后會(huì)丟失其內(nèi)容。兩種常見(jiàn)類型的易失性存儲(chǔ)器是SRAM和DRAM。
 
  雖然SRAM和DRAM都是易失性的，但DRAM通常速度較慢，因?yàn)樗膶?shí)現(xiàn)方式。在DRAM中，每個(gè)位都使用電容器存儲(chǔ)。由于電容器會(huì)失去電荷，除非在板上連續(xù)施加電位差，因此需要定期刷新DRAM以防止數(shù)據(jù)丟失。這種定期刷新會(huì)導(dǎo)致高延遲，從而導(dǎo)致內(nèi)存變慢。
 
  另一方面，SRAM不使用電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。相反，它使用多個(gè)晶體管（稱為SRAM單元）來(lái)存儲(chǔ)位。可以使用位線和字線網(wǎng)格寫(xiě)入和讀取SRAM。
 
  要寫(xiě)入一個(gè)典型的SRAM單元，相關(guān)的位線根據(jù)所需的值分別被驅(qū)動(dòng)為低電平或高電平，然后世界線被驅(qū)動(dòng)為高電平。要從典型的SRAM單元讀取數(shù)據(jù)，兩條位線都被驅(qū)動(dòng)為高電平，然后是世界線被驅(qū)動(dòng)為高電平。這樣，SRAM就可以區(qū)分讀取和寫(xiě)入操作。
 
  對(duì)于智能手機(jī)等嵌入式和移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員使用SRAM，它盡可能節(jié)能以延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。由于漏電流，功耗可以是主動(dòng)的或被動(dòng)的。在SRAM中，寄生電容導(dǎo)致電荷在存儲(chǔ)器電路中進(jìn)出移動(dòng)，從而導(dǎo)致有功功率耗散。


本文關(guān)鍵詞：SRAM

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