對(duì)存儲(chǔ)器而言，追求的始終是更快的速度、更低的功耗和更高的存儲(chǔ)密度。在器件尺寸scaling down的大前提下，存儲(chǔ)容量不能變小，發(fā)展過程中就會(huì)面臨很多挑戰(zhàn)。
 
選通管技術(shù)，很大程度借鑒了logic器件的發(fā)展，就要減少漏電。DRAM刷新占到了很大的功耗比重，漏電小了才能增加刷新周期的時(shí)間。
 
對(duì)于電容來說，是“更具挑戰(zhàn)性的事情”。如果想要維持電容器的電容量不變，或者增大的話，面積就要增大。但DRAM走的是尺寸微縮的道路，這其中就存在矛盾。為了維持電容量不變，有很多工作要去做，包括各種空間結(jié)構(gòu)的變化。在較高空間結(jié)構(gòu)的情況下，還需要考慮支撐結(jié)構(gòu)問題。
 
除了結(jié)構(gòu)變化之外，還有材料的變化。無論是介質(zhì)本身的材料，還是上下電極材料。這些技術(shù)都是在逐步的演進(jìn)過程中的。
 
工藝尺寸微縮過程中，DRAM主流市場(chǎng)上，三星、海力士、美光的15nm DRAM都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)19nm DDR4 DRAM也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。在進(jìn)入1z技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，技術(shù)難度就變得非常大。
 
未來有很多新的技術(shù)可以期待。新材料方面，如果大家關(guān)注今年的IEDM，就會(huì)知道今年IGZO的研究很流行。如果IGZO可以用的話，其實(shí)三維的DRAM就有望實(shí)現(xiàn)。另外，現(xiàn)在的電容材料如果改用鐵電，就有望實(shí)現(xiàn)非易失性的DRAM。這對(duì)降低功耗就非常有意義。
 
DRAM的另一個(gè)發(fā)展方向，典型的就是HBM die的堆疊。通過系統(tǒng)集成的方法，可以顯著提高帶寬。當(dāng)然它也有代價(jià)，它的latency并沒有變化，但成本有很大的增加。這類方案在GPU、AI芯片等產(chǎn)品在數(shù)據(jù)中心、HPC已經(jīng)有比較廣泛的應(yīng)用。

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