隨著企業(yè)固態(tài)硬盤(SSD)在系統(tǒng)性能和更小的外形尺寸方面不斷突破極限，SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰(zhàn)。需要提高密度、耐用性、性能并添加重要的新功能，同時還要繼續(xù)保護(hù)傳輸中的數(shù)據(jù)免受電源故障的影響。
 
作為克服現(xiàn)有基于NAND閃存的SSD局限性的解決方案，Everspin MRAM提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可用于通過提供高速非易失性存儲來提高SSD的系統(tǒng)性能和可靠性飛行數(shù)據(jù)。通過添加STT-MRAM來補(bǔ)充或替換SSD控制器的DDR總線上的易失性DRAM，SSD控制器現(xiàn)在可以將這種高速非易失性存儲器用于寫入緩沖區(qū)和任何其他傳輸中以前易失性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
 
對于企業(yè)級SSD來說，電源管理系統(tǒng)的設(shè)計很重要。系統(tǒng)必須檢測電源故障，將驅(qū)動器與主機(jī)隔離，并為驅(qū)動器提供足夠的能量存儲，以允許將任何傳輸中的數(shù)據(jù)提交到非易失性存儲器，以保證數(shù)據(jù)完整性。完成此操作所需的保持能量與傳輸中的數(shù)據(jù)量、非易失性存儲器的速度和系統(tǒng)的功耗成正比。這種保持能量存儲提供的時間量可以被視為電源故障窗口或在保持能量耗盡之前可用于存儲不受保護(hù)的數(shù)據(jù)的時間。
 
為了支持由不同內(nèi)存類型的獨立列組成的異構(gòu)DDR架構(gòu)，理想情況下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持處理STT-MRAM的不同時序和尋址要求，以獲得最佳性能。SSD控制器還必須采用額外的邏輯來正確管理DDR控制器緩沖區(qū)中的少量駐留數(shù)據(jù)，以確保將管道刷新到STT-MRAM并在斷電之前關(guān)閉STT-MRAM中的任何打開頁面.


關(guān)鍵詞：STT-MRAM,Everspin MRAM