ISSI 32Mb高速SRAM ISSI IS61WV204816BLL是高速32Mb靜態(tài)RAM，以16位2048K字的形式組織。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)帶來的是高性能和低功耗的器件。
 
當(dāng)CS#為“高”（取消選擇）時(shí)，器件進(jìn)入待機(jī)模式，功率耗散可隨CMOS的輸入電平降低。簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)器擴(kuò)展則通過芯片使能和輸出使能輸入實(shí)現(xiàn)。有源“低”寫使能(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高位字節(jié)(UB#)和低位字節(jié)(LB#)存取。采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)48引腳TSOP（I類）和48引腳mini BGA(6mmx8mm)封裝。該型號(hào)SRAM適合應(yīng)用于汽車和電信/網(wǎng)絡(luò)。
 
特性
•高速存取時(shí)間：10ns，12ns
•高性能、低功耗CMOS工藝制造
•多個(gè)中心電源和接地引腳提高了噪聲抗擾度•
•CS#和OE#便于存儲(chǔ)器擴(kuò)展
•TTL兼容型輸入和輸出
•單電源
-VDD2.4V至3.6V
•提供的封裝：
-48引腳mini BGA(6mmx8mm)
-48引腳TSOP（I類）
•支持工業(yè)和汽車溫度
•提供無鉛規(guī)格
•高位和低位字節(jié)的數(shù)據(jù)控制

關(guān)鍵詞：SRAM