隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后，存儲器中的數(shù)據(jù)為隨機數(shù)。這對于需要保存大量現(xiàn)場數(shù)據(jù)及各種系統(tǒng)參數(shù)的應(yīng)用系統(tǒng)來說無疑是不允許的。雖然EPROM的數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失，但EPROM只能用專用的寫入器寫入數(shù)據(jù),無法替代相應(yīng)的SRAM。

SRAM不存在刷新的問題。一個SRAM基本存儲單元融個晶體管和兩個電阻器構(gòu)成,它并不利用電容器來存儲數(shù)據(jù)，而是通過切換晶體管的狀態(tài)來實現(xiàn)的，如同CPU中的晶體管通過切換不同的狀態(tài)也能夠分別代表0和這兩個狀態(tài)正是因為這種結(jié)構(gòu),所以SRAM的讀取過程并不會造成SRAM內(nèi)存儲的的信息的丟失，當然也就不存在什么刷新的問題了。
 
EEPROM和FLASH是電可擦除的,可以部分替代相應(yīng)的SRAM,但EEPROM和FLASH寫入速度(ms級)相對于SRAM(ns級)太慢,無法存放計算產(chǎn)生的中間結(jié)果,無法高速隨機地寫入大量數(shù)據(jù)，EEPROM和FLASH寫入次數(shù)有限(十萬次左右),而SRAM可以無限次寫入,更關(guān)鍵的是:除非對EEPROM和內(nèi)存Flash的片選信號用專門的電路加以控制,上、掉電期間會產(chǎn)生誤寫。盡管FLASH有硬、軟件寫保護,但其保護算法使用起來很不方便，效果也不理想,在大多數(shù)應(yīng)用場合中無法替代SRAM。
 

關(guān)鍵詞：SRAM