IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM，以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可以生產(chǎn)出高性能和低功耗的存儲器件。當處于高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）或處于低電平時，CS2均為高電平且兩者均為高電平時，器件假定在待機模式下，可以通過CMOS輸入電平來降低功耗。
 
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（低寫使能）控制存儲器的寫入和讀取。IS62WV102416EBLL采用JEDEC標準的48引腳BGA（6mmx8mm）封裝。
 
引腳配置
48引腳BGA
   
功能說明
 
SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址可以隨機訪問。SRAM存儲器支持三種不同的模式.
 
待機模式
取消選擇時，設備進入待機模式（HIGH或CS2LOW或兩者都為HIGH）。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于高阻抗狀態(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片時（LOW和CS2HIGH），寫使能（）輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW來自I/O引腳（I/O0至I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I/O引腳（I/O8至I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時（LOW和CS2為HIGH），寫使能（）輸入為HIGH時，讀操作出現(xiàn)問題。當為低電平時，輸出緩沖器打開以進行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I/O引腳進行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。處于低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下的內(nèi)部設備作為READ操作，但I/O處于高阻抗狀態(tài)。由于器件處于讀取模式狀態(tài)，因此使用有功電流。
 

關鍵詞：SRAM   外擴SRAM   IS62WV102416EBLL