日韩久久久久久,久久青青 操,好吊操网址,人妻丝袜中字

案例&資訊
案例&資訊
主頁 ? 案例&資訊 ? 資訊動態(tài) ? 查看詳情

SRAM數(shù)據存儲原理

來源: 日期:2020-06-04 10:20:42

靜態(tài)RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元,再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態(tài)CMOS存儲器中,存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上,在一些大容量的SRAM中,這個比例還要更大一些。因而減小存儲單元的面積變得尤為重要。一方面我們希望單元面積越小越好;而另一方面隨著存儲單元面積的減小,單元的穩(wěn)定性又會逐漸變差。那么所謂的存儲器它是靠什么原理來存儲數(shù)據的呢?

 
圖1(a)存儲單元偏置在轉折電壓            圖1(b)存儲單元工作在穩(wěn)態(tài)
 
我們可以在同一坐標系中做出兩個反相器的電壓傳輸特性曲線,如圖1所示。兩條曲線共有三個交點:A、B與C,其中A、B兩點表示電路工作在穩(wěn)態(tài),而C點則意味著電路處于亞穩(wěn)態(tài)(C點代表反相器電壓傳輸特性曲線上的轉折電壓)。假設此時電路偏置在C點,若噪聲使得Vin的電位值有一個很小的變化δ,由于在轉折電壓附近反相器的電壓增益大于1,這個變化值經過兩個反相器的不斷放大,會導致電路逐漸偏離C點而最終穩(wěn)定在A點(或B點)。當電路處在A點(或B點)所對應的穩(wěn)態(tài)時,由于電壓增益小于1,即使有很大的電位偏移,這種偏移也會逐漸減小而消失。其變化過程如圖1(b)所示。由上面的分析我們可以看出,交叉耦合的反相器構成了一個雙穩(wěn)態(tài)的電路,兩個穩(wěn)定狀態(tài)正好與邏輯“1”、邏輯“0”相對應。因此這種電路結構被用作數(shù)據存儲電路。它完全可以實現(xiàn)對數(shù)字信號的存儲與非破壞性讀出。
 
 
 關鍵詞:SRAM   
 
 

欧美日韩精品少妇人妻| 男女操B短视频| 亞洲激情國產區AV合集| 日韩一区二区三区视频大骚逼| 一区二区三av| 日本一级A片一区二区| 国产情侣在线一区二区| 美女被男人捅一区二区免费看| 黑丝美女被操的网站| 看逼久久久性| 日本 在线 久久| 日本色区在线| 午夜婷婷婷伊人| 人妻人妻乱淫视网| 亚洲大胸美女被大鸡巴捅 | 日本一区二区三区免费成人电影| 德国精品精品在线不卡| 中文字幕不卡一二| 美女在线大炮| 亚洲皇宫h网| 青青草婷婷五月| 日本wwW成人午夜色区| 久操.美女亚洲视频在线观看| 爱我久久国产精品一区| 高潮视频免费爱爱视频免费| 高潮国产久久精品| 福利吧在线欧美一区| 免费成年人麻豆| 偷窥呻吟声骚妇| AV男人的天堂在线免费观看| 国产又大又粗亚洲区欧洲区91| 亚洲日韩欧美国产综合| 俄罗斯精品无码视频| 月色福利引导| 色诱久久久综合网| 国产美女18禁| 成人福利视频免费在线观看| 日韩女人操| 大香蕉在线精品一区二区| 美女116免费午夜视频| 五月婷婷丁香综合久久|