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汽車電子MCU設計方法
針對汽車電子領域來講,將對整車級、零部件級的電磁兼容要求強制性標準,結合到集成電路中的設計,才能使電路更易于設計出符合標準的最終產
2020-02-19
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ISSI 4Mbit鎖存式SRAM
ISSIIS61 64WV25616LEBLL是高速,低功耗4M位鎖存的靜態(tài)RAM,組織為256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的,并實現(xiàn)了ECC功能
2020-02-18
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外部SRAM應用場合
SRAM也是隨機尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù),反應時間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短,而SDRAM在這一點上做得并不好。
2020-01-21
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外部SRAM的優(yōu)缺點
部SRAM存儲器所提供比片內存儲器更大的存儲容量,速度則是相當快,但是稍略遜于片內存儲器。常用的外部SRAM的容量可達128KB至10MB。
2020-01-20
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可穿戴電子設備中的SRAM
在所有可用的存儲器中,SRAM是用作外部高速緩存的最佳選擇。因為它與DRAM相比待機電流消耗較低,而且其存取時間也比DRAM和閃存更短。
2020-01-17
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存儲器SRAM仍是主流市場
低功耗SRAM存儲芯片,屬于靜態(tài)隨機存儲器芯片,產品的容量范圍為1 4 8 16Mb,常用容量為8Mb,電壓范圍在1 8V 3 3V 5V ,部分器件有寬電壓的電壓范圍,速度在44 55 75ns
2020-01-16
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